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单管大功率IGBT、MOSFET驱动器
无需隔离电源
工作占空比5-95%
负电平可靠关断
 
 
 产品特点

 

  • 单管大功率IGBT、MOSFET驱动器
  • 采用本公司的分时式自给电源发明专利技术,无需隔离电源
  • 工作占空比5-95%
  • 负电平可靠关断
  • 过流时软关断,并封锁短路信号以保证软关断完成
  • 外围电路简单
 
原理框图


 
 
主要参数


 

参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输出脉冲信号幅值 Vp  
13
15
16
V
输出电压 Vo+    
14.5
  V
Vo-  负压与负载轻重有关   
-8.5
 -12
输出电流 Io+ 电容负载     5 A
Io-      -5
输出电荷 Qout       2.5
μ C
驱动功率 Po 每路   20   80 W
工作频率 Fop       2
KHz
占空比 δ   5   95 %
工作环境温度 Top  
-40
  85

 
产品应用


 

  • 适用于单端电路中驱动IGBT (200A/1200V或400A/600V) 一只
 
应用连接


 

 
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