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单管高频IGBT、MOSFET驱动器
工作占空比5-95%
变压器信号耦合,延迟小,工作频率高
 
 
 产品特点

 

  • 单管高频IGBT、MOSFET驱动器
  • 变压器信号耦合,延迟小,工作频率高
  • 工作占空比5-95%
  • 短路时软关断保护,并可各种保护参数
  • 关断时输出为负电平,抗干扰能力强
  • IGBT的栅极充电和放电速度可分别调节
 
原理框图


 

 
 
主要参数


 

参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
驱动电源 Vp  
20
24
25
V
输出电压 Vo+    
14.5
  V
Vo-     
-8.5
 
输出电流 Io+ 电容负载     6 A
Io-      -6
输出电荷 Qout       4
μ C
驱动功率 Po       2.5 W
工作频率 Fop   30   200
KHz
占空比 δ   5   95 %
工作环境温度 Top  
-40
  85

 
产品应用


 

  • 可驱动IGBT (300A/1200V或600A/600V) 一只
     
应用连接


 

 
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